- полную его совместимость с
достоинствам ионного внедрения
полупроводниковые подложки, что является его ос]новным достоинством. Кроме того, к
до 1016 ион/см2) введение легирующих атомов в
отличие от диффузии ионное внедрение обеспечивает конт]ролируемое (от 1011
оптические и другие свой]ства.
вещества, бомбардируя твердое тело, внедряются, изменяя его электрофизические,
ионном внедрении (имплантации, легировании) заряженные частицы управляемого потока
Комментариев нет:
Отправить комментарий